硅基光电集成充分利用硅基微电子成熟的工艺技术、具有高密度集成、价格低廉以及光子极高带宽、超快传输速率和高抗干扰性等优势，已经成为了信息技术发展的必然和业界的普遍共识。国外发达国家和几个大的IT公司都把硅基光电集成作为信息技术领域的关键技术给予支持。最近几年，硅基光电集成技术发展很快，新技术新器件层出不穷，有关硅的各种传统观念被新的实验结果一一打破。2005年Intel公司和加州大学联合研制成功了世界上首个电泵浦连续激射硅基III-V族混合集成激光器。2007年Intel公司将硅基电光调制器的3dB带宽扩展到30GHz，实现了40Gb/s的信号调制。2008年，Intel公司又在Nature上报道了340GHz增益带宽的锗硅雪崩二极管，达到商用的III-V族化合物探测器的水平。

       北京大学硅基光电子及系统研究小组在国内首次采用片外偏振复用的方式实现了100Gb/s PDM-QPSK调制，并进行了100km传输。在现阶段实现基本功能的基础上，正在向着更低损耗、更低功耗、更小尺寸、更高速率发展。项目首次实现100Gb/s PDM-QPSK相干接收机，在约16dB光信噪比下即可以实现3.8×10-3误码率，该水平处于世界领先地位。高的灵敏度、低的误码率、大的数据传输速率是未来光纤通信系统对接收机的要求。项目小组应用此技术与中兴公司合作设计了满足商用100Gb/s相干通信系统指标要求的硅基调制器。